STM32L4xx系列：如何通过嵌入式代码禁用写保护及检查状态？

阿华AIGC实验室

2026-5-20

嘿，我来帮你搞定STM32L4xx系列的写保护问题，完全用嵌入式代码实现，不用依赖ST-Link Utility工具。下面分两部分给你讲清楚：检查写保护状态，以及禁用写保护的具体代码实现。

一、检查用户地址是否处于写保护状态

STM32L4的FLASH写保护（WRP）是通过选项字节来配置的，每个WRP区域对应一段FLASH地址范围。要检查某个地址是否被保护，我们需要读取选项字节里的WRP配置，然后判断目标地址是否在保护范围内。

这里给你一个裸机寄存器操作的示例函数，直接读取硬件寄存器，不需要依赖HAL库：

#include "stm32l4xx.h"

/**
 * @brief 检查指定地址是否处于FLASH写保护状态
 * @param address 要检查的用户地址（必须在FLASH用户区：0x08000000 ~ 0x081FFFFF，具体范围看你的芯片型号）
 * @return 1：地址处于写保护；0：地址未被写保护/非法地址
 */
uint8_t CheckFlashWriteProtection(uint32_t address) {
    // 先校验地址合法性
    if(address < FLASH_BASE || address > (FLASH_BASE + FLASH_SIZE - 1)) {
        return 0; // 非法地址，这里默认返回未保护，你也可以改成报错
    }

    // 读取选项字节的WRP配置寄存器
    uint32_t optcr = FLASH->OPTCR;
    
    // 解析WRP1A区域的起始和结束偏移（STM32L4默认第一个WRP区域）
    uint32_t wrp1a_start = (optcr & FLASH_OPTCR_WRP1A_STRT) >> FLASH_OPTCR_WRP1A_STRT_Pos;
    uint32_t wrp1a_end = (optcr & FLASH_OPTCR_WRP1A_END) >> FLASH_OPTCR_WRP1A_END_Pos;
    
    // 转换为实际的FLASH地址范围：每个WRP单元对应1KB（0x400）的FLASH
    uint32_t wrp_start_addr = FLASH_BASE + wrp1a_start * 0x400;
    uint32_t wrp_end_addr = FLASH_BASE + (wrp1a_end + 1) * 0x400 - 1;

    // 检查地址是否在WRP1A区域内，且WRP使能位已置位
    if((address >= wrp_start_addr && address <= wrp_end_addr) && (optcr & FLASH_OPTCR_WRPEN)) {
        return 1;
    }

    // 如果你需要检查其他WRP区域（比如WRP1B、WRP2A），可以参考上面的逻辑重复判断
    // 具体区域数量和范围请参考你的STM32L4型号参考手册（RM0351）

    return 0;
}

二、禁用FLASH写保护的代码实现

要禁用写保护，必须先解锁FLASH控制器和选项字节，然后修改WRP配置，最后保存配置并重新锁定（可选）。下面是完整的示例函数：

/**
 * @brief 禁用FLASH的写保护（以WRP1A区域为例，可扩展到其他区域）
 * @return 0：操作成功；1：操作失败
 */
uint8_t DisableFlashWriteProtection(void) {
    // 临时关闭全局中断，避免干扰FLASH操作
    __disable_irq();

    // 1. 解锁FLASH_CR寄存器（默认是锁定状态）
    if(FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) {
        FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;  // 写入解锁密钥1
        FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;  // 写入解锁密钥2
        if(FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) {
            __enable_irq();
            return 1; // FLASH解锁失败
        }
    }

    // 2. 解锁选项字节寄存器OPTCR
    if(FLASH->CR & FLASH_CR_OPTLOCK) {
        FLASH->OPTKEYR = FLASH_OPT_KEY1;  // 选项字节解锁密钥1
        FLASH->OPTKEYR = FLASH_OPT_KEY2;  // 选项字节解锁密钥2
        if(FLASH->CR & FLASH_CR_OPTLOCK) {
            __enable_irq();
            return 1; // 选项字节解锁失败
        }
    }

    // 3. 修改WRP配置：清除WRP使能位，设置WRP1A区域为无保护
    // 无保护配置：WRP1A_STRT设为0x1F，WRP1A_END设为0x00（参考STM32L4手册）
    FLASH->OPTCR &= ~(FLASH_OPTCR_WRPEN | FLASH_OPTCR_WRP1A_STRT | FLASH_OPTCR_WRP1A_END);
    FLASH->OPTCR |= (0x1F << FLASH_OPTCR_WRP1A_STRT_Pos) | (0x00 << FLASH_OPTCR_WRP1A_END_Pos);

    // 如果要禁用其他WRP区域，这里继续修改对应的WRPx_STRT和WRPx_END即可

    // 4. 触发选项字节编程，保存配置
    FLASH->CR |= FLASH_CR_OPTSTRT;
    // 等待操作完成（BUSY位清零）
    while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);

    // 5. 检查是否有错误发生
    if(FLASH->SR & (FLASH_SR_WRPERR | FLASH_SR_OPTVERR)) {
        // 清除错误标志
        FLASH->SR |= FLASH_SR_WRPERR | FLASH_SR_OPTVERR;
        __enable_irq();
        return 1;
    }

    // 6. 重新锁定FLASH和选项字节（可选，根据你的需求决定是否保持解锁状态）
    FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK | FLASH_CR_OPTLOCK;

    // 恢复全局中断
    __enable_irq();

    return 0;
}

几个关键注意事项

供电要求：操作选项字节时，芯片供电必须稳定，电压要在2.0V~3.6V范围内（STM32L4的规范），否则可能导致配置失败甚至硬件损坏。
中断处理：操作过程中关闭全局中断是个好习惯，避免中断触发影响FLASH的编程流程。
芯片差异：不同STM32L4型号的FLASH大小、WRP区域数量可能不同，比如L476有4个WRP区域，L432可能只有2个。具体请参考对应型号的参考手册（RM0351）。
密钥值：上面代码里的FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_OPT_KEY1、FLASH_OPT_KEY2都是STM32标准定义的宏，如果你用的是标准库或HAL库，已经包含在头文件里了；如果是纯裸机，你可以直接写数值：
- FLASH_KEY1 = 0x45670123;
- FLASH_KEY2 = 0xCDEF89AB;
- FLASH_OPT_KEY1 = 0x08192A3B;
- FLASH_OPT_KEY2 = 0x4C5D6E7F;