OpenOCD仅能烧录STM32F103VG一半Flash的问题求助

你的问题核心是STM32F103VG的大容量Flash（双Bank）在OpenOCD下未能正确完成全片烧录，以下是针对性的排查和解决步骤：

1. 修正WORKAREASIZE参数（最可能的原因） #

你的配置中错误设置了WORKAREASIZE 0x18000（96KB），但STM32F103VG的SRAM只有64KB（0x10000）。超出SRAM范围的工作区域会导致OpenOCD在编程后半段Flash时出现内存访问错误，进而失败。

修改my_mcu.cfg中的对应行：

# The chip has 64KB sram
set WORKAREASIZE 0x10000

2. 显式配置大容量Flash Bank #

默认的stm32f1x.cfg可能未正确适配1MB Flash的双Bank结构，需要手动指定Flash bank的完整参数覆盖默认配置。在source [find target/stm32f1x.cfg]之前添加以下内容：

# 显式配置1MB Flash Bank
flash bank $_CHIPNAME.flash stm32f1x 0x08000000 0x100000 0 0 $_TARGETNAME

3. 降低SWD通信速度 #

树莓派的GPIO电平驱动能力有限，过高的SWD速度可能导致通信丢包，尤其是在烧录后半段Flash时。在source [find interface/stlink.cfg]之后添加：

# 降低SWD速度到1MHz
adapter speed 1000

4. 强制指定芯片TAP ID（可选） #

如果OpenOCD未能正确识别STM32F103VG的大容量型号，可手动指定TAP ID：

set CPUTAPID 0x1ba01477

验证操作 #

修改配置后，重新执行烧录命令：

openocd -f my_mcu.cfg -c "program my_bin.srec reset exit"

如果问题仍存在，可尝试增加烧录时的验证步骤，确保数据正确写入：

openocd -f my_mcu.cfg -c "program my_bin.srec verify reset exit"

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Antidot