关于局部版Cartan-Ambrose-Hicks定理证明细节的技术问询
关于局部版Cartan-Ambrose-Hicks定理证明细节的技术问询
不好意思哈,内容篇幅有点长,但其实大部分都是概念和约定内容,没有太多复杂的论证推导部分。
设$M{n}$和$\bar{M}{n}$为两个黎曼流形。取定基点$p \in M, \bar{p} \in \bar{M}$,以及一个等距映射$I: T_p M \rightarrow T_{\bar{p}} \bar{M}$。
当$r>0$足够小时,定义微分同胚:
$$\varphi=\exp {\bar{p}} \circ I \circ \exp {p}^{-1}: B{r}(p) \rightarrow B{r}(\bar{p}).$$
记$P_{\gamma} :T_{\gamma(0)}M\to T_{\gamma(a)}M$为沿曲线$\gamma:[0,a]\to M$的平行移动,$R, \bar{R}$分别为$M{n}$和$\bar{M}{n}$的曲率张量...
备注:内容来源于stack exchange,提问作者HeroZhang001
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