三星Gen4 NVMe硬盘FIO随机写入性能与Datasheet相差近5倍的问题排查求助

大家好，我最近在用FIO工具测试一块三星Gen4 NVMe硬盘的性能，目前顺序读、顺序写、随机读的结果都和 datasheet 里的参数差不多，但随机写入性能居然差了将近5倍，这让我有点摸不着头脑。

我的测试参数完全是按照 datasheet 来配置的：

• 传输块大小：4KB（4096字节）
• 队列深度：32
• 工作进程数：4

先给大家看看我的完整测试结果：

下面是随机写入测试的FIO关键输出片段：

rand_write: (g=0): rw=randwrite, bs=(R) 4096B-4096B, (W) 4096B-4096B, (T) 4096B-4096B, ioengine=libaio, iodepth=32
...
fio-3.34
Starting 4 processes
Jobs: 4 (f=4): [w(4)][100.0%][w=3585MiB/s][w=918k IOPS][eta 00m:00s]
rand_write: (groupid=0, jobs=4): err= 0: pid=419160: Thu Jun 27 15:10:57 2024
  write: IOPS=929k, BW=3628MiB/s (3804MB/s)(425GiB/120001msec); 0 zone resets
    slat (nsec...

有没有大佬遇到过类似的情况？或者能给我一些排查方向？比如是不是我哪里的参数配置漏了，还是硬盘本身有什么设置需要调整？

备注：内容来源于stack exchange，提问作者Олег Баталов