STM32L476 Flash页擦除无效果且写入触发PROGERR错误求解

核心问题：Flash页号与Bank参数配置错误 #

STM32L476采用双Bank Flash架构，单页大小为2KB：

• Bank1地址范围：`0x08000000_{0x0807FFFF，共256页，页号独立编号范围为0}255
• Bank2地址范围：0x08080000~0x080FFFFF，共256页，页号独立编号范围为0~255

你要操作的0x08080000地址属于Bank2的第0页，而HAL库FLASH_PageErase()函数的页号参数为单Bank独立编号，不是全局连续编号。你传入的代码传入页号256 + FLASH_BANK_BOTH参数时，Bank1不存在256号合法页，参数非法导致擦除操作直接被硬件拒绝，Flash内容自然不会变化。

其他遗漏操作点 #

• 未校验HAL操作返回值：所有HAL Flash操作函数都有返回值，可标识操作是否成功、返回具体错误码，当前代码没有做返回值判断，无法定位失败节点
• 未排查写保护配置：需要确认Bank2的对应页是否被选项字节中的写保护（WRP）位锁定，保护状态下擦除操作会静默失败

修正后的参考代码 #

uint32_t page = 0; // Bank2的页号从0开始独立计数
HAL_StatusTypeDef op_status;

HAL_FLASH_Unlock();
// 清除所有之前的错误标志
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_ALL_ERRORS);
// 仅擦除Bank2的目标页，不要使用FLASH_BANK_BOTH参数
op_status = FLASH_PageErase(page, FLASH_BANK_2);
if (op_status != HAL_OK) {
    // 此处可添加错误处理逻辑，读取错误码定位问题
}
op_status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
if (op_status != HAL_OK) {
    // 此处可添加超时/操作错误处理逻辑
}
CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER | FLASH_CR_PNB);
HAL_FLASH_Lock();

// 可选添加擦除结果校验
if (*(uint32_t *)0x08080000 != 0xFFFFFFFF) {
    // 擦除失败处理逻辑
}

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Louis Cloete