STM32G071KB如何选择Flash地址存储掉电可保留的变量？

核心问题先明确 #

绝对不能直接使用SRAM起始地址0x20000000作为Address参数，原因有二：

• 0x20000000属于SRAM地址区间，SRAM是易失性存储，掉电后所有数据会自动清空，完全达不到断电保留数据的需求
• HAL_FLASH_Program是专门用于操作STM32内置Flash的API，仅能识别Flash地址区间的合法地址，传入SRAM地址会直接返回参数错误，甚至触发硬件异常

合法Address参数设置规则 #

STM32G071KB的内置Flash总大小为128KB，地址区间为0x08000000 ~ 0x0801FFFF，所有Address参数必须落在该区间内，同时满足以下要求：

1. 不得占用固件已使用区域
   你需要先确认自己编译出的固件占用的Flash大小，选择未被固件占用的空白页作为存储区域。STM32G0系列Flash的页大小为2KB，比如你的固件总大小为60KB，占用前30个页，那可以选择从0x08010000（第32个页起始地址）作为存储起始地址，避免擦写时破坏运行固件。
2. 地址必须对齐
   对齐要求和你传入的TypeProgram参数强绑定：
   • 当TypeProgram为FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（单次写入8字节）：Address必须8字节对齐
   • 当TypeProgram为FLASH_TYPEPROGRAM_FAST（快速模式单次写入32字节）：Address必须32字节对齐
3. 写前必须先擦除对应页
   Flash仅能对值为全0xFF的空白位置执行写入操作，写入前需要先调用HAL_FLASHEx_Erase擦除对应地址所在的Flash页，再执行写入操作。

示例配置 #

如果你需要预留最后1个2KB的Flash页作为掉电数据存储区，STM32G071KB最后一页的起始地址为0x0801F800，可以直接将该值作为Address参数传入即可。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者lukewalker_p2501