STM32G474RE Flash擦除失效及编译报错问题咨询

STM32G474RE Flash擦除代码移植解决方案 #

问题根因 #

STM32F7与G4系列的Flash硬件架构、HAL库定义存在原生差异，你遇到的报错均为平台不兼容导致。 #

具体修改步骤 #

1. 适配G4的页擦除逻辑

STM32G4系列Flash无扇区设计，仅支持页擦除：STM32G474RE单页大小为2KB，共256页分为2个Bank，Bank1对应页0_{127，Bank2对应页128}255。擦除类型需要改为FLASH_TYPEERASE_PAGES，替换原有的扇区相关参数。

2. 移除无效的VoltageRange配置

G4的HAL库中FLASH_EraseInitTypeDef结构体没有VoltageRange成员，也没有FLASH_VOLTAGE_RANGE_3相关宏定义：G4的Flash控制器会自动根据VDD电压适配擦写时序，不需要手动配置电压范围，直接删除该赋值语句即可。 #

适配后的可运行代码示例 #

if( is_first_block )
{
  printf("Erasing the Flash memory...\r\n");
  //Erase the Flash
  FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
  uint32_t PageError; // 存储擦除失败的页号，替换原SectorError

  EraseInitStruct.TypeErase     = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
  EraseInitStruct.Banks         = FLASH_BANK_1; // 按擦除区域所属Bank设置，跨Bank需要分两次擦除
  EraseInitStruct.Page          = 16; // 示例为第16页，对应起始地址0x08008000，可按实际APP地址计算修改
  EraseInitStruct.NbPages       = 2; // 擦除连续2页，总大小4KB，可按需调整

  ret = HAL_FLASHEx_Erase( &EraseInitStruct, &PageError );
  if( ret != HAL_OK )
  {
    break;
  }
}

注意事项 #

• 擦除操作前后的Flash解锁、加锁逻辑和F7一致，需先调用HAL_FLASH_Unlock()解锁，操作完成后调用HAL_FLASH_Lock()加锁。
• 页号计算方式：页号 = (目标Flash起始地址 - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE，其中FLASH_BASE为0x08000000，FLASH_PAGE_SIZE为2048。
• 单次擦除操作不能跨Bank，若需要擦除跨Bank的区域，需要分两次配置擦除结构体分别操作。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Nazar Hussain