关于Sandia国家实验室CrossSim交叉bar模拟器及替代仿真软件的技术问询

关于 CrossSim 的 reset.csv/set.csv 中 rmp 值的说明 #

• rmp 值定义：rmp 是 Resistance Multiplication Parameter（电阻倍增参数）的缩写，用于生成忆阻器查找表时，对器件的电阻变化做缩放校准，匹配实际器件的电阻-脉冲特性曲线。
• 计算方式：它的取值需结合目标仿真的忆阻器实测数据确定：
  1. 先获取器件在多次 set/reset 脉冲下的电阻变化曲线，计算目标仿真电阻范围与实测电阻范围的比值，这个比值就是 rmp 的初始值。比如实测器件电阻范围是 10kΩ~1MΩ，仿真要映射到 20kΩ~2MΩ，rmp 就取 2。
  2. 也可以通过微调 rmp 值，让仿真输出的电流-电压曲线与实测数据拟合度最高，最终确定合适的取值，没有固定通用公式。

可替代的交叉bar阵列仿真软件 #

• NeuroSim：专注存算一体场景，支持忆阻器交叉bar的向量乘法、神经网络推理等操作，自带器件模型库，可自定义器件特性。
• MemristorSPICE：基于SPICE的扩展工具，能在SPICE环境中搭建忆阻器交叉bar电路，适合底层电路级的向量乘法仿真，支持多种忆阻器模型。
• MAESTRO：MIT开发的存算一体架构仿真工具，支持交叉bar阵列映射、性能评估，涵盖向量乘法核心操作，适配不同忆阻器器件。
• CrossSim-PE：CrossSim的扩展版本，文档更完善，对输入文件的说明更细致，也可作为替代选择。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者nivetha thirugnanasambandan