STM32L4R5 Bootloader刷写S-record时闪存写入异常问题咨询

问题描述 #

我正在通过Bootloader使用S-record文件更新STM32L4R5的MCU固件应用。文件中大部分S-record行的地址处于闪存行的16字节偏移位置（如0x08010010、0x08010020、0x08010030），但存在部分处于8字节和12字节偏移的记录，例如：

S3150808F7200000000000C0153F00000000DCCFD135FE
S30D0808F730E416F87F0100000049
S3090808F738E5010108C8
S3090808F73CC1010108E8
S3150808F74000000010002001000040100002004000E0

Bootloader按接收S-record的顺序以双字为单位写入16字节闪存行，空位置填充0xFF以保持未编程状态。在此场景下，地址0x0808F730所在的闪存行被写入三次，具体如下：

0808F730 E416F87F01000000FFFFFFFFFFFFFFFF
0808F730 FFFFFFFFFFFFFFFFE5010108FFFFFFFF
0808F730 FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFC1010108

但读回地址0x0808F730的数据为：

0808F730 E416F87F01000000FFFFFFFFFFFFFFFF

这导致应用无法启动，进入错误处理程序。对比调试器刷写的可运行应用与Bootloader刷写的闪存镜像，发现仅该行存在差异。

请问闪存行是否仅支持单次写入？此场景下正确的操作方式是什么，我是否遗漏了关键要点？

解答 #

1. STM32闪存的核心特性 #

STM32的闪存并非只能单次写入，但仅支持从0xFF向0x00修改，无法反向修改已置0的位。也就是说，一旦某个闪存位被编程为0，后续的普通编程操作无法将其改回1（包括0xFF对应的全1状态）。

你的问题中，第一次写入时已经将0x0808F730开始的8字节设置为非0xFF值，后续两次写入尝试修改这些已置0的位时，操作会直接失效，因此读回数据仍保留第一次写入的结果。

2. 问题根源 #

Bootloader的写入逻辑存在缺陷：按S-record接收顺序逐块写入，每次写入时填充空白为0xFF，但没有考虑闪存的位修改限制。后续写入的内容中，与已编程位置重叠的部分无法覆盖原有数据，导致最终闪存内容不完整。

3. 正确操作方式 #

• 预先合并同一页的所有数据：先解析所有S-record记录，按地址排序，将同一闪存页内的所有数据合并为完整的页数据（未指定的位置保持0xFF）。
• 先擦除再写入：STM32闪存擦除是以页为单位（STM32L4R5的闪存页大小为2KB），擦除后整页数据变为0xFF。对每个需要更新的页，先执行擦除操作，再一次性写入合并后的完整页数据。
• 避免分块重复写入同一页：不要按S-record的接收顺序逐块写入，而是确保每个页只被擦除一次，然后写入所有需要的数据。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Shadow