STM32F7 QSPI内存映射模式写入问题及分区可行性咨询

先直接给你明确结论：内存映射模式下，QUADSPI硬件层面只支持读操作，没法直接写外部Flash，这和AN4760里的描述完全一致。不过针对你「分区用QSPI，一部分跑代码一部分存数据，不想来回跳转内部Flash」的需求，有几个实用的优化方案：

一、QSPI分区的可行性：完全没问题 #

你完全可以把外部QSPI Flash拆成两个独立区域：

• 区域A：内存映射模式，用来放可执行代码（映射到0x90000000起始的地址段）
• 区域B：命令模式专用，用来存配置数据（支持读写擦除）

但要注意：QUADSPI同一时间只能工作在一种模式下——要么内存映射（只读跑代码），要么命令模式（可读写数据）。所以访问数据区时，需要临时切换模式，不过这个流程可以优化到不用跳转内部Flash。

二、优化模式切换：全程在外部Flash执行，不用跳内部 #

你担心跳转内部Flash的问题，其实完全可以把切换逻辑放在外部Flash的代码里完成，步骤大概是这样：

1. 当需要写数据时，先把当前寄存器状态、程序上下文存到片内RAM里（毕竟RAM是独立于Flash的，不会受QSPI模式影响）
2. 调用HAL库的HAL_QSPI_MemoryMappedExit(&hqspi)退出内存映射模式
3. 切换到命令模式，执行数据区的擦除、写入操作（注意要精准避开代码区的地址，别误擦了程序）
4. 写完之后，再调用HAL_QSPI_MemoryMapped(&hqspi)切回内存映射模式
5. 从RAM恢复之前保存的上下文，继续在外部Flash里跑代码

这个过程全程都在外部Flash的代码里执行，不需要跳回内部Flash，只是短暂切换QSPI的工作模式，性能开销极低，几乎不会影响程序运行。

三、进阶玩法：用双Bank的QSPI Flash #

如果你的QSPI Flash支持**双Bank（Dual Bank）**功能（比如Winbond的W25Q系列部分型号、MXIC的MX25L系列），那可以更省心：

• 把Bank 0设为内存映射模式，专门跑代码
• 把Bank 1设为命令模式，专门存数据

部分STM32F7的QUADSPI外设支持双Bank独立访问，这时候甚至不用切换模式，就能一边从Bank 0读代码运行，一边往Bank 1写数据。不过这个得先确认你的Flash型号和STM32F7的QUADSPI是否支持这个特性，查一下Flash的数据手册和STM32F7的参考手册就行。

四、其他替代思路 #

如果上面的方案都不符合你的要求，还有两个备选方向：

• 用片内RAM当缓存：把要保存的配置先存在RAM里，等系统空闲或者关机前，再一次性切换模式写入QSPI Flash，减少模式切换的次数
• 额外加个小SPI Flash：专门用来存数据，和跑代码的QSPI Flash分开，这样两个Flash互不干扰，不用切换模式

补充一句：AN4760里明确说了，内存映射模式下QUADSPI的FIFO只开放读通路，写通路是被硬件禁用的，所以确实没法在这个模式下直接写，必须切命令模式。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Fredrick Gauss