为存储WiFi配置，能否将STM32F4的flash_erase_sector适配到STM32F103C8？

• 核心结论：STM32F103C8不能直接使用F4系列的flash_erase_sector函数，两者的闪存架构、HAL库实现差异显著。

• 具体差异原因：

  1. 闪存结构不同：F103C8的闪存采用分页（Page）结构，而F4系列是扇区（Sector）结构，擦除操作的基本单元定义完全不同。
  2. HAL库函数实现不同：F1系列的闪存擦除函数为HAL_FLASHEx_Erase，定义在stm32f1xx_hal_flash_ex.h中，参数是FLASH_EraseInitTypeDef结构体，需指定擦除类型（分页擦除）和起始页；而F4的flash_erase_sector是专门针对扇区设计的擦除函数。

• 适配方案：

  1. 使用F1系列HAL库提供的标准闪存操作函数，示例流程：
     • 解锁闪存：HAL_FLASH_Unlock()
     • 配置擦除初始化结构体：

       FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
       EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
       EraseInitStruct.PageAddress = 0x0800F000; // 选择要擦除的起始页地址
       EraseInitStruct.NbPages = 1; // 要擦除的页数
       

     • 执行擦除：HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);
     • 锁定闪存：HAL_FLASH_Lock()
  2. 存储WiFi配置这类小数据时，建议选择F103C8闪存的最后几个分页（避免覆盖程序区），每次更新先擦除分页再写入数据。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Kerem