STM32G030F6P6写Flash后异常：断电无法识别、中断跳转至0x1fff0000

问题现象 #

• 基于STM32G030F6P6开发，程序需完成两项Flash操作：将8位数据写入第15页、设置读保护等级为0xBB
• 执行程序后，断电重启后无法通过SWD接口被编程器识别，程序完全不运行（LED无闪烁）；但未断电状态下，可正常连接编程器、擦除或重写程序
• 调试发现：无中断触发时程序运行正常；触发任意中断（ADC/DMA/TIM）后，程序跳转至0x1fff0000（系统Bootloader地址）并卡死，此时VTOR寄存器值从0变为0x1fff0000，Flash Latency寄存器被设为2
• 已定位故障根源为写入Flash最后一页的操作，与读保护设置无关；即使擦除全部Flash，仍无法恢复芯片正常状态，已损坏10余片芯片

相关代码 #

Flash写入代码（第15页） #

FLASH->KEYR = 0x45670123;
FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;

while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY1);

FLASH->SR |= FLASH_SR_OPTVERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_FASTERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_MISERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_PGSERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_SIZERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_PGAERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_WRPERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_PROGERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_OPERR;

FLASH->CR |= FLASH_CR_PER; //Page erase enable
FLASH->CR |= (15<<FLASH_CR_PNB_Pos); //Page number selection
FLASH->CR |= FLASH_CR_EOPIE; //End-of-operation interrupt enable
FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; // Start erase operation

while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY1);

if (FLASH->SR & FLASH_SR_EOP)
{
    FLASH->SR |= FLASH_SR_EOP;
}

FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER; //Page erase disabled
//--------------------------------------------------
while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY1);

FLASH->SR |= FLASH_SR_OPTVERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_FASTERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_MISERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_PGSERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_SIZERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_PGAERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_WRPERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_PROGERR;
FLASH->SR |= FLASH_SR_OPERR;

FLASH->CR |= FLASH_CR_PG; //Flash memory programming enable
FLASH->CR |= (15<<FLASH_CR_PNB_Pos); //Page number selection
FLASH->CR |= FLASH_CR_EOPIE; //End-of-operation interrupt enable

*(__IO uint32_t*)0x08007800=(uint32_t)mydata;
*(__IO uint32_t*)0x08007804=0;

while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY1);

if (FLASH->SR & FLASH_SR_EOP)
{
    FLASH->SR |= FLASH_SR_EOP;
}
FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG; //Page programming disabled
FLASH->CR &= ~FLASH_CR_EOPIE; //End-of-operation interrupt disabled

FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;

读保护设置代码 #

if ((FLASH->OPTR & FLASH_OPTR_RDP) != 0xBB)
{
  FLASH->KEYR = 0x45670123;
  FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;

  FLASH->OPTKEYR = 0x08192A3B;
  FLASH->OPTKEYR = 0x4C5D6E7F;

  while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY1);

  FLASH->OPTR |= (0xBB << FLASH_OPTR_RDP_Pos);

  while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY1);
  FLASH->CR |= FLASH_CR_OPTSTRT;
  while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY1);
  FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;
}

故障排查方案 #

• 确认Flash页的硬件限制：STM32G030F6P6的Flash总容量32KB，每页2KB，第15页为最后一页（地址范围0x08007800-0x08007FFF）。查阅芯片手册，确认该页是否包含特殊功能区域（如用户选项字节备份、Bootloader相关配置），是否存在写入限制
• 完善Flash操作的错误检测：当前代码仅清除状态寄存器标志，但未检查擦除/编程操作是否产生错误（如WRPERR写保护错误、PROGERR编程错误）。需在操作后增加错误标志检查，若出错立即终止操作并处理
• 验证地址与对齐合法性：确认写入地址0x08007800、0x08007804是否完全处于第15页范围内，且符合32位编程的对齐要求；同时检查该页是否被配置为写保护区域（通过选项字节WRP位）
• 排查向量表异常原因：中断触发后跳转到Bootloader地址，说明主Flash的中断向量表失效。需确认写入最后一页是否破坏了向量表的完整性，或Flash的一致性校验出错导致CPU自动切换到Bootloader向量表
• 检查电源稳定性：Flash擦除/写入操作对电源电压稳定性要求高，需确保操作过程中VDD电压稳定在芯片手册规定的范围内（典型3.3V），避免电源波动导致Flash损坏
• 验证Flash操作时序合规性：严格按照芯片手册的Flash操作流程执行，确认解锁、等待忙标志、操作触发、标志清除、锁定的每一步时序是否符合要求

损坏芯片恢复方法 #

• 尝试Bootloader模式恢复：设置BOOT引脚进入系统内置Bootloader（STM32G0的BOOT0接高电平、BOOT1接低电平，具体参考芯片数据手册），使用STM32CubeProgrammer通过串口连接芯片，执行全Flash擦除（包括选项字节）操作
• 复位瞬间SWD连接：部分异常状态下，芯片仅在复位瞬间能被SWD识别。可尝试按住复位键，点击编程器的"连接"按钮后立即松开复位键，尝试擦除Flash
• 恢复默认选项字节：若能进入Bootloader或SWD连接成功，读取当前选项字节配置，检查RDP、WRP等字段是否异常，将选项字节恢复为出厂默认值后再擦除主Flash
• 物理损坏判定：若上述方法均无法识别芯片，说明Flash已物理损坏，此类芯片无法恢复，只能更换

内容的提问来源于stack exchange，提问作者red15530