STM32WB55设置Flash STRT位后调试崩溃，报Failed to execute MI command

核心原因 #

STM32WB55的Flash在擦除/编程操作期间，CPU无法访问Flash存储器（擦写时Flash总线会被挂起）。你在设置STRT位启动擦除后，立刻单步执行下一条指令（这条指令本身存储在Flash中），直接触发总线错误，导致HardFault异常，最终跳转到默认错误处理地址0xfffffffe（该地址无程序代码，所以调试器提示无调试信息）。

同时你的代码存在明显的时序错误：设置STRT后没有等待Flash操作完成，就直接去修改CR寄存器，完全不符合STM32 Flash操作的规范。

具体解决步骤 #

1. 修复寄存器操作的时序逻辑
   必须在设置STRT后等待BSY位清零，确认Flash擦除完成后再执行后续操作：

   /* 设置STRT位启动擦除 */
   FLASH->CR |= 0x00010000;
   /* 等待BSY位清零，确保擦除操作完成 */
   while((FLASH->SR & 0x00010000) != 0);
   /* 之后再清除PER位 */
   FLASH->CR &= ~0x00000002;
   

2. 优先使用HAL库Flash API
   手动操作寄存器容易遗漏解锁、等待、错误处理等环节，建议直接用STM32 HAL库封装好的Flash操作函数，示例：

   FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {0};
   uint32_t PageError = 0;
   
   /* 解锁Flash */
   HAL_FLASH_Unlock();
   
   EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
   EraseInitStruct.Page = 0; // 目标擦除页号
   EraseInitStruct.NbPages = 1;
   
   /* 执行擦除，库函数自动处理等待、错误判断 */
   if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)
   {
       // 此处添加擦除错误处理逻辑
   }
   
   /* 操作完成后锁定Flash */
   HAL_FLASH_Lock();
   

3. 调试注意事项
   不要单步执行Flash擦写的启动指令，设置STRT后直接选择连续运行，或者在while(BSY)循环之后设置断点，避免单步调试时CPU尝试访问处于忙状态的Flash，导致异常。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者TRPh