STM32内部Flash写入失败，ErrorCode为136求助

错误码136的含义 #

错误码136对应FLASH_ERROR_PGA（编程对齐错误），核心原因是你使用了FLASH_TYPEPROGRAM_QUADWORD（16字节编程）模式，但不符合该模式的对齐/数据长度要求，同时缺少Flash写入前的擦除操作。

代码问题分析 #

• 未擦除Flash扇区：STM32 Flash只能从1改写为0，写入前必须先擦除对应扇区（擦除会将扇区所有位设为1），否则无法写入。
• 编程模式不匹配：FLASH_TYPEPROGRAM_QUADWORD要求写入地址16字节对齐、写入数据为16字节长度，而你仅传入1字节的uint8_t变量，触发对齐错误。
• 参数传递错误：QUADWORD模式需要传入16字节数据的指针，但你仅传入单字节变量的指针，数据长度不足。

修复方案 #

1. 完整修正代码 #

uint32_t writeval(uint32_t src_address){
    uint8_t test = 1;
    FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {0};
    uint32_t PageError = 0;

    HAL_FLASH_Unlock();

    // 擦除目标地址所在的Flash页（需根据芯片手册调整页参数）
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.PageAddress = 0x08008000; // 目标地址所在页起始地址
    EraseInitStruct.NbPages = 1; // 擦除1个页
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)
    {
        HAL_FLASH_Lock();
        return HAL_ERROR;
    }

    // 使用单字节编程模式写入数据
    if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, 0x08008000, test) != HAL_OK)
    {
        HAL_FLASH_Lock();
        return HAL_ERROR;
    }
    
    HAL_FLASH_Lock();
    return HAL_OK;
}

2. 关键注意事项 #

• 扇区/页划分：不同STM32型号的Flash页大小（2KB/4KB/16KB等）和编号不同，需对照芯片手册确认0x08008000对应的页起始地址和数量。
• 编程模式选择：单字节写入用FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE，半字（2字节）用FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD，字（4字节）用FLASH_TYPEPROGRAM_WORD，16字节用FLASH_TYPEPROGRAM_QUADWORD，需匹配数据长度和对齐要求。
• 地址合法性：确认0x08008000属于可写入的Flash区域，未被当前程序代码占用（避免覆盖程序导致崩溃）。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者masterx