STM32WLE5基于SRAM存储数据的固件远程更新方案咨询

一、先验证SRAM中固件的有效性 #

• 对比校验值：用CRC32或SHA256计算SRAM中固件数据的哈希值，和服务器下发的校验码匹配，排除传输错误
• 检查固件头：确认固件开头的**初始栈指针（SP）**在STM32WLE5的合法地址范围（Flash或SRAM），复位向量地址指向有效的Flash代码区域（避免跳转到非法地址）

二、准备Flash擦写的安全环境 #

• 关闭全局中断：执行__disable_irq();，防止擦写过程被中断打断引发硬件异常
• 禁用外设与DMA：关闭所有正在运行的外设时钟、DMA通道，避免干扰Flash控制器操作
• 解锁Flash控制器：STM32 Flash默认锁定，需执行解锁序列：

FLASH->KEYR = 0x45670123;  // FLASH_KEY1
FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;  // FLASH_KEY2

注：WLE5的Flash寄存器KEY值与大部分STM32通用，若有差异以官方手册为准

三、擦除并写入目标Flash区域 #

• 确定擦除扇区：根据你的应用分区规划，找到要更新的Flash扇区（比如主应用区对应的扇区），执行扇区擦除操作：

FLASH->CR |= FLASH_CR_SER;  // 启用扇区擦除
FLASH->CR |= (扇区号 << FLASH_CR_SNB_Pos);  // 指定要擦除的扇区
FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;  // 触发擦除
while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);  // 等待擦除完成
FLASH->CR &= ~FLASH_CR_SER;  // 关闭扇区擦除模式

• 逐字写入Flash：STM32 Flash要求32位对齐写入，循环读取SRAM中的固件数据，写入目标Flash地址：

uint32_t* src_addr = (uint32_t*)SRAM_FIRMWARE_START;
uint32_t* dest_addr = (uint32_t*)FLASH_APP_START;
uint32_t firmware_size = FIRMWARE_SIZE / 4;  // 按32位字计算数量

for (uint32_t i = 0; i < firmware_size; i++) {
    FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;  // 启用编程模式
    *dest_addr++ = *src_addr++;  // 写入一个32位字
    while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);  // 等待写入完成
    FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;  // 关闭编程模式
}

四、验证Flash写入结果 #

• 逐字节比对SRAM固件与Flash内容，确保每个字节都一致，排除写入错误
• 重新锁定Flash控制器：执行FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;，防止后续误操作

五、切换至新固件运行 #

• 更新向量表偏移（如果新固件不在Flash默认起始地址）：

SCB->VTOR = FLASH_APP_START;  // 设置向量表基地址为新固件起始地址

• 跳转到新固件的复位向量：

typedef void (*pFunction)(void);
uint32_t jump_sp = *(uint32_t*)FLASH_APP_START;  // 读取新固件的初始SP
uint32_t jump_addr = *(uint32_t*)(FLASH_APP_START + 4);  // 读取复位向量地址
pFunction jump_to_app = (pFunction)jump_addr;

__set_MSP(jump_sp);  // 设置主栈指针
jump_to_app();  // 跳转到新固件

关键注意事项 #

• SRAM分区规划：STM32WLE5的SRAM范围是0x20000000~0x2000FFFF（64KB），要确保固件存入的地址不覆盖当前应用的栈、堆区域，建议用高地址段（比如0x2000C000之后）存储固件
• 固件格式：必须是编译后的二进制文件（.bin），直接按地址写入Flash，不能用hex或elf格式
• 电源保障：Flash擦写过程中绝对不能断电，建议在更新前检测电源电压，确保供电稳定

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Foreen