PIC16F18877汇编读写数据EEPROM失败，求技术指导

问题概述 #

首次通过汇编实现PIC16F18877的数据EEPROM读写，目标流程为：读取地址0xF001的数据→写入0x25→读回验证。但实际测试中：

• 初始读取返回0x0（调试窗口显示EEPROM全为0xFF）
• 写入后读回仍为0x0（已提前清空寄存器排除旧值干扰）
• 添加读取等待循环后触发无限循环

非工作代码 #

主操作代码 #

MOVLW  01h
  MOVWF  eeprom_addr_low
  MOVLW  0F0h
  MOVWF  eeprom_addr_high
   
  ;READ EEPROM
  BANKSEL NVMADRL
  MOVLW   eeprom_addr_low
  MOVWF   NVMADRL
  MOVLW   eeprom_addr_high
  MOVWF   NVMADRH
   
  BSF     NVMCON1,6  ;NVMREGS
  BSF     NVMCON1,0  ;RD
   
  MOVF    NVMDATL,W
  MOVWF   eeprom_data_low
  MOVF    NVMDATH,W
  MOVWF   eeprom_data_high
   
  ;WRITE EEPROM
  BANKSEL NVMADRH
  MOVF    eeprom_addr_high,W
  MOVWF   NVMADRH
  MOVF    eeprom_addr_low,W
  MOVWF   NVMADRL
  BSF     NVMCON1,2     ;WREN
  BSF     NVMCON1,6     ;LWL0
   
writeLoop:
  MOVLW   025h
  MOVWF   NVMDATL
  MOVLW   00h           ;0x00
  MOVWF   NVMDATH
  MOVLW   eeprom_addr_low   ;01h
  MOVWF   NVMADRL
  MOVLW   eeprom_addr_high  ;0F0h
  MOVWF   NVMADRH
  BSF     NVMCON1,2     ;WREN
unlockSeq:
  BCF     INTCON,7      ;GIE
  MOVLW   055h
  MOVWF   NVMCON2
  MOVLW   0AAh
  MOVWF   NVMCON2
  BSF     NVMCON1,1     ;WR
  BSF     INTCON,7      ;GIE
  BCF     NVMCON1,2     ;WREN
readBack:
  MOVLW   00h
  MOVWF   NVMDATL       ;Just clearing it to confirm if the readback is working for debugging purposes
  MOVWF   NVMDATH
   
  MOVLW   eeprom_addr_low
  MOVWF   NVMADRL
  MOVLW   eeprom_addr_high
  MOVWF   NVMADRH
   
  BSF     NVMCON1,6
  BSF     NVMCON1,0
   
  MOVF    NVMDATL,W
  MOVWF   eeprom_data_low
  MOVF    NVMDATH,W
  MOVWF   eeprom_data_high

无限循环的等待代码 #

waitForRead:
    BTFSC   NVMCON1,0
    GOTO    waitForRead

核心问题分析与修正 #

1. 地址配置错误 #

PIC16F18877的数据EEPROM绝对地址范围为0xF000~0xF0FF，但NVM地址寄存器NVMADRH的正确值应为0x0F（对应数据EEPROM的NVM bank），而非代码中使用的0xF0。绝对地址0xF001对应：

• NVMADRH = 0x0F
• NVMADRL = 0x01

2. NVMREGS位配置错误 #

NVMCON1<6>（NVMREGS）用于选择NVM访问类型：

• 置1：访问特殊功能寄存器的NVM空间
• 清零：访问数据EEPROM/程序存储器
  代码中读写操作均置1，导致实际未访问数据EEPROM。

3. 未等待操作完成 #

• 读取操作：RD位（NVMCON1<0>）会在读取完成后自动清零，需等待该位清零后再读取NVMDATL
• 写入操作：WR位（NVMCON1<1>）会在写入完成后自动清零，需等待该位清零后再进行读回验证
  之前的等待循环进入无限循环，本质是地址/NVMREGS配置错误导致硬件无法完成读取操作。

4. 写入操作冗余与错误设置 #

• 写入前重复设置地址与WREN，属于冗余操作
• 数据EEPROM为字节宽度，NVMDATH无意义，无需设置
• WREN需在解锁序列前保持置1，代码中在解锁后立即清零，可能导致写入未完成

修正后的完整代码 #

; 初始化地址：数据EEPROM绝对地址0xF001 → NVMADRH=0x0F, NVMADRL=0x01
MOVLW  01h
MOVWF  eeprom_addr_low
MOVLW  0Fh
MOVWF  eeprom_addr_high

; --------------------------
; 读取初始数据
; --------------------------
BANKSEL NVMADRL
MOVF    eeprom_addr_low,W
MOVWF   NVMADRL
MOVF    eeprom_addr_high,W
MOVWF   NVMADRH

BCF     NVMCON1,6  ; NVMREGS=0，访问数据EEPROM
BSF     NVMCON1,0  ; 启动读取

waitForReadInit:
    BTFSC   NVMCON1,0  ; 等待RD位清零（读取完成）
    GOTO    waitForReadInit

MOVF    NVMDATL,W
MOVWF   eeprom_data_low  ; 仅读取低字节，数据EEPROM为字节宽度

; --------------------------
; 写入数据0x25
; --------------------------
BANKSEL NVMADRL
MOVF    eeprom_addr_low,W
MOVWF   NVMADRL
MOVF    eeprom_addr_high,W
MOVWF   NVMADRH

MOVLW   025h
MOVWF   NVMDATL  ; 设置要写入的数据

BSF     NVMCON1,2     ; WREN=1，允许写入
BCF     NVMCON1,6     ; NVMREGS=0，访问数据EEPROM

; 执行解锁序列
BCF     INTCON,7      ; 关闭全局中断
MOVLW   055h
MOVWF   NVMCON2
MOVLW   0AAh
MOVWF   NVMCON2
BSF     NVMCON1,1     ; 启动写入

waitForWrite:
    BTFSC   NVMCON1,1  ; 等待WR位清零（写入完成）
    GOTO    waitForWrite

BSF     INTCON,7      ; 恢复全局中断
BCF     NVMCON1,2     ; WREN=0，禁止写入

; --------------------------
; 读回验证
; --------------------------
BANKSEL NVMADRL
MOVF    eeprom_addr_low,W
MOVWF   NVMADRL
MOVF    eeprom_addr_high,W
MOVWF   NVMADRH

BCF     NVMCON1,6
BSF     NVMCON1,0

waitForReadBack:
    BTFSC   NVMCON1,0
    GOTO    waitForReadBack

MOVF    NVMDATL,W
MOVWF   eeprom_data_low  ; 读回验证数据

关键注意事项 #

• 数据EEPROM的NVM bank为0x0F，绝对地址0xF0xx对应NVMADRH=0x0F、NVMADRL=0xx
• 访问数据EEPROM必须将NVMREGS位清零
• 读写操作必须等待对应标志位清零后再访问数据寄存器，避免读取无效数据
• 写入解锁序列必须严格按照0x55→0xAA的顺序写入NVMCON2
• 数据EEPROM为字节存储，仅需操作NVMDATL寄存器

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Dominick