STM32H747I-Disco双AMP模式下M4核因M7创线程触发Hard Fault

现象与背景 #

• 基于ThreadX开发STM32同步库，单核心（M4/M7单独运行、另一核心闲置）时功能完全正常。
• 切换至AMP模式，双核心分别运行独立ThreadX内核时，M4核触发Hard Fault。

排查结果 #

• 定位到M4核的系统定时器线程栈溢出，该溢出发生在信号处理程序中。
• 异常触发规律：M7核创建应用线程时，即便M4核仅运行CubeMX生成的骨架代码（无自定义线程创建），仍会出现栈溢出；若M7核仅运行初始化骨架代码、不创建应用线程，M4核无异常。

已尝试的解决措施 #

• 默认所有栈分配在AXISRAM，为避免M7线程栈干扰M4系统定时器线程栈，将M7线程栈改为分配至SRAM2，但问题未解决。

相关截图 #

• 栈起始于SRAM2的M7核线程状态
• 即将溢出的M4核系统线程栈
• M4核Hard Fault错误

求各位提供排查思路或解决方案。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者Adhip Shukla