STM32烧录新代码时如何保留EEPROM仿真区？VScode+JLink环境

针对你的需求——在VScode搭配JLink烧录新代码时，不擦除0x0800F800-0x0800FFFF的Flash页（第31页，用于存储校准数据），以下是几种可行的实操方案：

方案1：通过VScode Cortex-Debug插件配置排除擦除区域 #

如果你使用的是Cortex-Debug插件（多数STM32 VScode开发场景的标配），可直接在工程的.vscode/launch.json中添加烧录规则：

• 打开launch.json，找到对应调试配置条目
• 添加以下参数二选一即可：
  • 按扇区排除：

    "flashErase": "sector",
    "sectorBlacklist": [31]
    

    说明：flashErase设为sector表示按扇区擦除，sectorBlacklist指定跳过第31扇区（对应目标Flash页）。
  • 按地址范围指定擦除区域：

    "eraseAddressRange": "0x08000000-0x0800F7FF"
    

    说明：仅擦除0x08000000到0x0800F7FF的区域，精准避开你的EEPROM仿真区。

方案2：修改JLink全局设备配置（全工程生效） #

若需要所有针对该芯片的烧录操作都跳过目标页，可修改JLink的设备配置文件：

• 找到JLink安装目录下的JLinkDevices.xml（Windows通常在C:\Program Files\SEGGER\JLink，Linux/macOS对应安装路径）
• 定位到STM32G030C8的配置段，在<FlashBank>节点中添加排除范围：

  <FlashBank Name="Flash" BaseAddr="0x08000000" Size="0x10000" SectorSize="0x800" NumSectors="32">
    <EraseExcludeRange StartAddr="0x0800F800" EndAddr="0x0800FFFF"/>
  </FlashBank>
  

  修改后保存，重启VScode即可生效（Windows下修改需管理员权限）。

方案3：调整工程链接脚本（辅助防护） #

为避免编译后的代码意外覆盖目标区域，可修改工程的链接脚本（通常命名为STM32G030C8Tx_FLASH.ld）：

• 找到FLASH内存区域定义，将长度从64KB（0x10000）改为62KB（0xF800）：

  FLASH (rx) : ORIGIN = 0x08000000, LENGTH = 62K /* 原64K改为62K，即0xF800 */
  

  此配置会让链接器确保代码和数据不超出0x0800F7FF，配合烧录工具的擦除排除规则，形成双重防护。

方案4：JLink Commander手动控制烧录（临时场景） #

如果只是临时需要跳过擦除，可通过JLink Commander执行手动烧录步骤：

1. 打开JLink Commander，连接芯片：

   JLink.exe -device STM32G030C8 -speed 4000 -if SWD
   

2. 擦除指定范围（跳过目标页）：

   erase 0x08000000-0x0800F7FF
   

3. 下载新代码：

   loadfile your_project.hex
   

4. 启动芯片：

   r
   g
   

推荐优先使用方案1，针对当前工程配置，灵活且无需全局修改。

内容的提问来源于stack exchange，提问作者BEsmart